铁电场效应晶体管

• 作者: 于军 周东祥 周文利 朱丽丽 王华 王耘波 谢基凡
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 铁电场效应晶体管 存储特性
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 科技动态
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 3089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2000.02.010

摘要

介绍了铁电场效应晶体管(FFET)的基本结构、存储机制、制作方法,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在FFET中应用的进展情况,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对FFET存储特性的影响,对FFET的研究现状和存在的一些问题进行评述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	华中理工大学电子科学与技术系	98	463	13.0	17.0
3	周东祥	华中理工大学电子科学与技术系	33	486	13.0	21.0
4	于军	华中理工大学电子科学与技术系	13	68	5.0	7.0
5	周文利	华中理工大学电子科学与技术系	11	50	4.0	6.0
6	王耘波	华中理工大学电子科学与技术系	7	19	2.0	4.0
7	谢基凡	华中理工大学电子科学与技术系	5	18	2.0	4.0