离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究

• 作者: 刘明成 刘福润
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 半绝缘 砷化镓 电激活均匀性
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.23

摘要

研究了Ｓｉ＾＋和Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋注入到Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｂｒｉｄｇｍａｎ（ＨＢ）和Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ）方法制备的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活效率与均匀性。结果发现：在相同条件下（注入与退火），不同生长方法的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活不同，通常电激活ＨＢ〉ＬＥＣ，ＨＢ ＳＩ－－ＧａＡｓ（Ｃｒ）（１００）Ａ面〉（１００）Ｂ面，Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋双离子

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明成	天津师范大学物理系	12	53	5.0	7.0
2	刘福润	天津师范大学物理系	3	3	1.0	1.0