平面SiC薄膜场致发射的机理研究

• 作者: 刘广均 朱长纯 李德昌 杨银堂
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC薄膜 多晶 场致发射 I～V特性 拟合
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 264-268
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 535字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.03.011

摘要

碳化硅在场致发射( EE)应用中除了具有金刚石的一般优点之外,还具有易于n型或者p型掺杂的特性.本文用APCVD方法研制了一种SiC薄膜.在FEE测试中发现,其开启场强低达0.3 MV/m.根据电子发射过程的理论分析,得到一种电流随电压指数增加的模式可用于理解场致发射的测试结果.根据这个模型,电子从衬底向薄膜的注入和电子在薄膜中的输运是限制发射的主要因素.由此还可以推测,薄膜中相邻的电子传递中心之间的距离约为0.6 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子所	420	2932	23.0	32.0
2	朱长纯	西安交通大学电信学院真空微电子所	215	2372	22.0	41.0
3	李德昌	西安交通大学电信学院真空微电子所	68	480	13.0	18.0
4	刘广均	西安理工大学应用化学系	1	1	1.0	1.0