EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响

• 作者: 夏冠群 毛友德
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: EL2能级 夹断电压 砷化镓 MESFET
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 8-13
• 页数: 6页
• 分类号: TN386

摘要

在建立的理论模型基础之上，定量地分析了ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响，指出位于本征费米能级以下的ＥＬ２能级是影响ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压大小的主要因素，ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响程度与ＥＬ２能给的缺陷密度呈线性关系。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏冠群	中国科学院上海冶金研究所	61	307	9.0	16.0
2	毛友德	合肥工业大学应用物理系	13	29	3.0	5.0