半导体硅片的电化学研究

• 作者: 林昌健 程璇
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: 极化电阻 铜沉积 硅片/溶液界面
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 258-264
• 页数: 7页
• 分类号: O645.54
• 字数: 764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2000.03.002

摘要

采用电化学直流极化和交流阻抗技术,在有光照和黑暗条件下分别研究了半导体硅片在稀释氢氟酸溶液中的电化学特性.两种电化学技术均对溶液中含有的微量铜(10-9 wt%-浓度水平)非常敏感,但仅对溶液中的10-6wt%-浓度水平的非离子型表面活性剂敏感.结果表明,有光照条件下在硅/溶液界面上极易发生电化学反应,且该反应对硅表面性质起主导作用.