基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/Si HBT基区渡越时间的影响

• 作者: 孙英华 张万荣 李志国 沈光地 程尧海 陈建新
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结晶体管 掺杂 基区渡越时间 半导体物理 硅-锗器件
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 1495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.002

摘要

由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度.为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度.但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退化了频率特性,特别是在低温下更为严重.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子工程系	57	418	12.0	18.0
2	沈光地	北京工业大学电子工程系	192	1444	18.0	29.0
3	陈建新	北京工业大学电子工程系	65	441	11.0	17.0
4	张万荣	北京工业大学电子工程系	105	390	8.0	12.0
5	孙英华	北京工业大学电子工程系	8	27	3.0	5.0
6	程尧海	北京工业大学电子工程系	17	154	6.0	12.0