计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型

• 作者: 张鸿欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 层次模型 热场计算 多芯片多基片模块
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 286-289
• 页数: 4页
• 字数: 1820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.015

摘要

提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟，分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算，通过迭代将分区计算结果连成模块的热场.在计算一个层次单元(芯片、基片或底座)的热场时，将其所在的层次单元(母层次单元)的上表面温度，作为该层次单元下表面的边界条件，而把它上表面上的层次单元(子层次单元)的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源.通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值.提出的层次单元间的耦合强度(即每轮计算中，母层次单元上表面的温度改变不是全部，而是部分用于更新其子层次单元的下表面的边界条件)保证了所有情况下的迭代收敛.层次模型算法不仅速度数量级地高于普通的模块一体计算，而且热场与产生它的热源关系清楚，便于指导模块设计.计算与测量在实验误差(5℃)内符合.