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摘要:
为用自对准技术制作聚焦型发射阵列(FFEA)的聚焦极,要求FFEA的电阻层能透过光刻用近紫外光.为此提出用共溅射法制作Ni-SiO2金属陶瓷电阻层.研究结果表明,当适当调整Ni和SiO2成份比例,可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刘的电阻层.同时时此电阻层的电镜微观形貌,能谱成份分析,方阻及透光率进行了讨论.最后,给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例.
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文献信息
篇名 用于聚焦型场发射阵列的Ni-SiO2透明电阻薄膜
来源期刊 微细加工技术 学科 工学
关键词 场发射显示器 金属陶资材料 自对准光刻
年,卷(期) 2000,(3) 所属期刊栏目 薄膜技术
研究方向 页码范围 53-62
页数 10页 分类号 TN304.55
字数 4773字 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
场发射显示器
金属陶资材料
自对准光刻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
双月刊
1003-8213
43-1140/TN
大16开
湖南省长沙市
1983
chi
出版文献量(篇)
672
总下载数(次)
2
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