MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究

• 作者: 姚冬敏 彭学新 李述体 江风益 熊传兵 王立 辛勇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN MOCVD 光致发光 补偿度
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2801字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.01.007

摘要

对实验室用MOCVD方法生长的未掺杂GaN单晶膜的发光性能进行了研究.结果表明: 在室温时未掺杂GaN单晶出现的能量为2.9eV左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系.高补偿GaN的蓝带发射强, 低补偿GaN的蓝带发射弱.对蓝带发光机理进行了探讨, 认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光(eA 发光).观察到降低GaN补偿度能提高GaN带边发射强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
2	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
3	辛勇	南昌大学材料科学研究所	186	1282	15.0	26.0
4	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
5	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
6	姚冬敏	南昌大学材料科学研究所	9	86	5.0	9.0
7	李述体	南昌大学材料科学研究所	12	93	5.0	9.0