FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

• 作者: 刘国栋 刘宜华 刘德镇 周少雄 张林 萧淑琴
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜 巨磁阻抗效应 磁畴结构
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 535-538
• 页数: 4页
• 分类号: O484.2|TB383
• 字数: 3521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2000.05.018

摘要

用高频溅射法制备了FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜,经350℃退火20 min后得到性能优良的巨磁阻抗材料.磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴,靠近边缘,磁畴方向转向横向.这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一.磁阻抗测量表明,样品在13 MHz的频率下,分别获得了63%和77%的纵向和横向磁阻抗比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宜华	山东大学物理系	39	186	7.0	11.0
2	张林	山东大学物理系	45	159	7.0	10.0
3	周少雄		44	279	10.0	15.0
4	萧淑琴	山东大学物理系	13	99	5.0	9.0
5	刘德镇	山东工业大学材料科学与工程学院	5	32	3.0	5.0
6	刘国栋		1	7	1.0	1.0