sol-gel法制备纳米碳化硅晶须的研究

• 作者: 张洪涛 徐重阳
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶须 碳化硅 溶胶-凝胶法
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 9-10
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2000.03.005

摘要

采用长链甲基三甲氧基硅烷[CnH2n+1Si(OCH3)]和正硅酸乙酯(TEOS)两种有机物为起始原料,用溶胶-凝胶法通过合理控制反应条件,制备出β-SiC凝胶粉体,然后在Ar气氛、900～1 300℃下热处理,制备出了高纯、低氧含量,直径2～10 nm,长度40～80 nm的β-SiC纳米晶须.产物纯度达到99.92%.利用X射线粉晶衍射、透射电镜(TEM)、拉曼光谱等测试方法对制得的晶须进行了结构及颗粒尺寸等研究.讨论了反应条件对β-SiC纳米晶须生长的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐重阳	华中理工大学电子科学与技术系	33	239	9.0	14.0
2	张洪涛	华中理工大学电子科学与技术系	11	100	4.0	10.0