Se化Cu2ln2O5法制备CulnSe2薄膜的机理及性能研究

• 作者: 杨静 马鸿文
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: CulnSe2 Cu2ln2O5 Sol-Gel工艺 硒化 性能
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 146-148
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.26
• 字数: 4252字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.02.013

摘要

黄铜矿型CulnSe2(ClS)多晶薄膜具有优良的光伏特性.在对现有制备工艺进行对比分析的基础上,首次采用SOL-gel法制备了Cu2ln2O5(ClO)薄膜,经Se化获得了结构均匀、表面平整、组成接近于化学计量比的ClS薄膜,其电阻率介于105～106Ω.om之间,与国外采用其它高成本工艺制备的薄膜性能相当.基于上述实验,对Se化ClO法制备ClS半导体薄膜的机理及材料的光伏性能进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马鸿文	中国地质大学材料科学与工程学院	146	2829	30.0	45.0
2	杨静	中国地质大学材料科学与工程学院	45	1000	17.0	31.0