埋沟CCD器件电荷处理容量的二维数值模拟

• 作者: 熊平 陈红兵
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷耦合器件 电荷容量 二维数值模拟
• 年，卷（期）: 2000,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 36-41
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 3955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.z1.009

摘要

借助于二维器件模拟软件PISCES-IIB，通过在某相CCD电极下的耗尽区注入数量可控的电子电荷，对埋沟CCD器件电荷容量进行了定量分析。采用此方法对一种沟道宽度为7μm的CCD信道电荷容量进行了瞬态模拟，对不同结深、不同沟道掺杂浓度对CCD电荷容量的影响进行了讨论。得到了此结构工艺参数的初步优化结果，即CCD沟道表面掺杂浓度为结深为1 μm时，埋沟CCD的电荷容量可达文章提出的方法适用于其他CCD单元结构电荷容量的模拟。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊平		21	434	5.0	20.0
2	陈红兵		9	35	4.0	5.0