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摘要:
本文采用导模数值计算法对MMI(多模干涉)型光功分器SIE干涉区内的导模进行计算并对输出波导位置进行优化,证明在一定条件的弱限制下器件的插入损耗和输出均匀度均超过强限制的情况,说明MMI型光功分器的制作可以采用方便的湿法刻蚀,在器件成本降低的同时其精度也得到改善.
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文献信息
篇名 弱限制MMI型光功分器
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 多模干涉 导模 传播常数
年,卷(期) 2000,(11) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 93-95
页数 3页 分类号 TN256
字数 3094字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.11.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王明华 浙江大学硅材料国家重点实验室 134 958 17.0 24.0
2 尹锐 浙江大学信息与电子工程学系 5 38 3.0 5.0
3 杨建义 浙江大学硅材料国家重点实验室 97 650 13.0 21.0
4 江晓清 浙江大学信息与电子工程学系 104 672 13.0 20.0
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节点文献
多模干涉
导模
传播常数
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