双极型压控晶体管直流特性的数值模拟

• 作者: 刘久玲 成世明 曾云 金湘亮 颜永红
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 双极 压控 数值分析
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 204-209
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2000.03.008

摘要

本文采用数值计算和解析分析相结合的方法,建立了新型功率半导体器件--双极型压控晶体管(BJMOSFET)电流-电压特性的数值分析模型;运用Mathematics数学分析软件,模拟得出BJMOSFET电压转移特性曲线和电压输出特性曲线;得出的结果说明在相同的器件结构尺寸和工作情况下,与功率MOS晶体管相比,导通电压略有增加,但电流容量增加较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学应用物理系	102	899	13.0	27.0
2	颜永红	湖南大学应用物理系	45	423	10.0	20.0
3	金湘亮	湖南大学应用物理系	10	94	3.0	9.0
4	刘久玲	湖南农业大学理学院	2	2	1.0	1.0
5	成世明	湖南大学应用物理系	3	5	2.0	2.0