CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤研究测试系统

• 作者: 严荣良 任迪远 余学锋 张国强 范隆 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 运算放大器 电离辐射 辐射损伤 测试
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 页码范围: 637-641
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.1|TN72
• 字数: 2347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.09.009

摘要

为了从内部研究CMOS运算放大器的电离辐射损伤机理,用由计算机控制的运算放大器内部单元电路损伤试验测试系统测量运放电路整体性能参数在电离辐射环境中的变化,观察电路内部各功能单元电路和MOSFET的辐照损伤特性;该系统能将不同功能单元电路的损伤对电路整体性能的影响进行测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范隆	中国科学院新疆物理研究所	13	69	5.0	8.0
2	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
3	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
4	余学锋	中国科学院新疆物理研究所	22	152	6.0	12.0
5	陆妩	中国科学院新疆物理研究所	42	320	11.0	16.0
6	郭旗	中国科学院新疆物理研究所	50	338	10.0	16.0
7	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0