质子轰击GaP外部电光采样

• 作者: 孙伟 张大明 李德辉 田小建 衣茂斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电光采样 质子轰击 超快光学技术
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 918-921
• 页数: 4页
• 分类号: TN206|TN29
• 字数: 2917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.09.017

摘要

采用质子轰击n-GaP晶体作为外部电光采样材料,用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构,对ITO共面波导上的微波信号进行了测量.结果表明,用质子轰击的方法可以使n-GaP样品的电阻增大四个量级,接近于半绝缘材料,能有效地减小GaP晶体内部自由电荷对电场的屏蔽效应.在2.30GHz微波信号时,质子轰击GaP外部电光采样测量获得了40mV(/Hz)的电压灵敏度.