双极——MOS功率半导体器件的发展动态

• 作者: 曾云 金湘亮
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 功率器件 半导体器件 功率晶体管
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 38-43
• 页数: 6页
• 分类号: TN323.4

摘要

比较了双极－－ＭＯＳ功率半导体器件的五种基本构成方式；然后介绍该类器件发展的最新动态，着重阐述几种最新器件；最后分析预测了这类器件发展的方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学应用物理系	102	899	13.0	27.0
2	金湘亮	湖南大学应用物理系	10	94	3.0	9.0