VLSI制作过程中Al配线可靠性控制

• 作者: 祝六花 郭佳惠
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: Al配线 可靠性 溅射 Q-Mass LEAK GRAIN SIZE 反射强度
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 196-199
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1437字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2000.03.006

摘要

本文主要讨论Al配线可靠性的控制方法及溅射过程中真空度对Al膜淀积质量的影响,运用Q -Mass监控溅射过程系统基本真空控制Al膜质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭佳惠		2	11	1.0	2.0
2	祝六花		2	11	1.0	2.0