氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺与绝缘耐压性能

• 作者: 于映 陈跃
• 来源期刊: 福州大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硅 薄膜 PECVD 绝缘 耐压
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 页码范围: 15-17
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2243.2000.06.005

摘要

用PECVD法制备氮化硅介质薄膜，分析了沉积温度、本底真空度及气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜绝缘耐压性能的影响，制备出0.4*!μm的性能良好的氮化硅介质绝缘膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于映	福州大学电子科学与应用物理系	36	343	8.0	17.0
2	陈跃	福州大学电子科学与应用物理系	6	65	3.0	6.0