MOS电容的衬底热电子注入响应特性

• 作者: 严荣良 任迪远 余学峰 张国强 艾尔肯 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热载子 损伤 界面态 氧化物电荷
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 页码范围: 869-872
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.1|TN72
• 字数: 1670字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.12.008

摘要

为研究抗热载子损伤的加固技术，对国产N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入(SHE)，并利用高频C-V及准静态C-V分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了MOS结构热载子损伤的特性和机理。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
2	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
3	陆妩	中国科学院新疆物理研究所	42	320	11.0	16.0
4	郭旗	中国科学院新疆物理研究所	50	338	10.0	16.0
5	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0
6	艾尔肯	中国科学院新疆物理研究所	17	152	7.0	12.0
7	余学峰	中国科学院新疆物理研究所	19	125	7.0	10.0