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摘要:
分析了影响BiCMOS全摆幅输出和高速度的因素,探索了一种新的抑制BJT过饱和的反馈网络,提出了具有高速全摆幅输出的BiCMOS逻辑单元.该单元可以工作于1.5V,并且易于实现多输入扩展,它特别适于VLSI设计.模拟结果表明,该单元实现了优于CMOS的全摆幅输出,且其速度高于同类CMOS电路10倍以上.
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文献信息
篇名 1.5V高速全摆幅BiCMOS逻辑电路的研究
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 BiCMOS 逻辑电路 全摆幅技术 超大规模集成电路
年,卷(期) 2000,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 155-157
页数 3页 分类号 TN47
字数 83字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-3365.2000.03.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邵志标 西安交通大学电子科学与技术系 42 180 9.0 10.0
2 王海永 西安交通大学电子科学与技术系 2 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
BiCMOS
逻辑电路
全摆幅技术
超大规模集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
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