锗硅表面结构和动态过程的STM研究

• 作者: 杨威生 盖峥
• 来源期刊: 物理
• 学科: 化学
• 关键词: 扫描隧道显微镜(STM),锗,硅,高指数表面,表面结构,表面 动态过程
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 649-656
• 页数: 8页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2000.11.003

摘要

尽管作为微电子工业的基础，硅和锗的表面和界 面几十年来一直是研究的热点，但和纳米技术等不断提出的问题相比，对它们的了解仍很不 够.为此，最近我们用扫描隧道显微镜和低能电子衍射方法，对锗硅表面的稳定性、宏观小 面化、纳米小面化、小面化的规律、稳定表面的比自由能、表面原子结构以及表面和亚表面 原子的动态过程进行了大量的系统的研究.文章综述已取得的研究结果.这些结果除具有重 要的基础意义外，对半导体异质外延生长衬底选择，以及量子线和量子点自组织生长模板的 选择都会有帮助.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨威生	北京大学物理系人工微结构与介观物理实验室	7	81	3.0	7.0
2	盖峥	北京大学物理系人工微结构与介观物理实验室	3	7	2.0	2.0