极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声

• 作者: 卜惠明 吴军 张荣 施毅 袁晓利 郑有 韩平 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 噪声 随机电报信号
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 465-468
• 页数: 4页
• 分类号: TN302
• 字数: 2388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.010

摘要

研究了极细沟道NMOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS)的特征.首次在室温下观测到了大幅度(大于60%)的RTS,发现当器件工作在弱反型区时,RTS幅度基本与温度和栅压无关.对RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明,载流子数涨落与迁移率涨落引起的RTS的幅度随着沟道宽度的减小而增加,当沟道宽度减小至40nm以下时,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中RTS幅度的影响起主导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴军	南京大学物理系	31	364	10.0	18.0
2	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
3	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
4	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
5	韩平	南京大学物理系	22	92	6.0	9.0
6	袁晓利	南京大学物理系	5	15	3.0	3.0
7	郑有	南京大学物理系	7	30	3.0	5.0
8	卜惠明	南京大学物理系	2	9	2.0	2.0