InGaAs/InP量子阱材料生长后置无序技术的研究

• 作者: 武丽 王永晨 范懿 赵杰
• 来源期刊: 天津师大学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱 离子注入 带隙蓝移
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 26-32
• 页数: 7页
• 分类号: O485
• 字数: 3467字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1114.2000.01.007

摘要

研究了氖离子注入诱导InGaAs/InP量子阱材料带隙变化的规律. 研究结果表明,由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移. 蓝移的大小与量子阱的宽度,阱距表面深度,注入离子剂量,能量,及退火条件有关. 研究所得的参数对设计量子阱集成光器件有重要参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	天津师范大学物理系	40	171	8.0	11.0
2	王永晨	天津师范大学物理系	16	24	3.0	4.0
3	武丽	天津师范大学物理系	2	1	1.0	1.0
4	范懿	天津师范大学物理系	2	11	1.0	2.0