IGCT--GTO技术的最新进展

• 作者: 刘国友
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GTO IGCT 集成门极 硬驱动 缓冲层 透明发射极
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN342+.4
• 字数: 3337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.03.003

摘要

IGCT是一种基于GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性.本文将对IGCT的开发过程、结构特点、器件特性及其应用前景等进行介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国友		1	28	1.0	1.0