a-Si:H薄膜结构对多晶硅薄膜性能的影响

• 作者: 余楚迎 吴萍 姚若河 林揆训 林璇英
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 衬底温度 掺杂比 晶化温度 晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 157-158,161
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 2772字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.02.017

摘要

用a一Si:H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件.用PCVD方法高速沉积的a-Si:H薄膜,经550℃的低温退火,可以制备平均晶粒尺寸为几百nn,最大晶粒尺寸为2μ,电导率为1.62(Ω·on)-1的优质多晶硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
2	林揆训	汕头大学物理系	29	339	9.0	18.0
3	余楚迎	汕头大学物理系	27	321	9.0	17.0
4	吴萍	汕头大学物理系	16	73	5.0	8.0
5	姚若河	汕头大学物理系	23	197	6.0	14.0