硅中的缺陷和硅片热处理

• 作者: 邹子英 闵靖
• 来源期刊: 上海有色金属
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 晶体原生颗粒缺陷 激光散射断层缺陷 流动图形缺陷 体微缺陷 栅氧化层完整性
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 171-176
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 3046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-2046.2000.04.004

摘要

本文评述了近年来着重研究的COP、LSTD、FPD和BMD等硅中的微缺陷.介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷,提高GOI合格率的实验结果.研究表明,硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹子英		12	55	5.0	7.0
2	闵靖		8	39	3.0	6.0