MEVVA源离子束合成镧硅化物

• 作者: 张通和 徐飞 易仲珍 程国安 肖志松
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 硅化物 物相 表面形貌
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 200-204
• 页数: 5页
• 分类号: O474
• 字数: 2421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2000.02.013

摘要

用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用XRD,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌.分析结果表明,在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关.对La硅化物的形成过程进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程国安	南昌大学材料科学与工程系	17	202	5.0	14.0
2	徐飞		19	97	5.0	9.0
4	肖志松		3	7	1.0	2.0
7	易仲珍		2	6	1.0	2.0