GaAs和AlGaAs MBE 外延生长动力学研究

• 作者: 乔怡敏 刘兴权 王贤仁 陆卫 陈益栋
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 反射高能电子衍射 实时监测 GaAs AlGaAs
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.01.015

摘要

研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs 材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果: 生长表面形貌的周期性变化导致了RHEED各级条纹及其强度的周期性变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	95	442	12.0	16.0
2	乔怡敏	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	3	7	2.0	2.0
3	刘兴权	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	3	4	2.0	2.0
4	陈益栋	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	2	4	2.0	2.0
8	王贤仁	吉林大学电子工程系	1	2	1.0	1.0