BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量

• 作者: 姜景和 张廷庆 张正选 罗晋生 袁仁峰
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 二氟化硼 硅栅PMOSFET 辐射感生界面陷阱
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 350-354
• 页数: 5页
• 分类号: TL99|TN286.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.04.012

摘要

利用亚阈测量技术对BF+2注入硅栅PMOSFET辐射感生界面陷阱进行了测量.对BF+2注入PMOSFET具有抑制辐射感生界面陷阱的机理进行了分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗晋生	西安交通大学微电子所	28	194	7.0	13.0
2	张廷庆	西安电子科技大学微电子所	9	26	1.0	5.0
3	张正选		21	88	5.0	8.0
4	姜景和		18	78	6.0	7.0
5	袁仁峰		2	3	1.0	1.0