GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱

• 作者: 刘念华 姚冬敏 彭学新 李述体 江风益 熊传兵 王立 辛勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN RBS/沟道 X射线双晶衍射 光致发光PACC:7360F 6855 7920N 7855 6110
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 437-440
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.005

摘要

采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试.它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘念华	南昌大学材料科学研究所	75	490	13.0	19.0
2	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
3	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
4	辛勇	南昌大学材料科学研究所	186	1282	15.0	26.0
5	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
6	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
7	姚冬敏	南昌大学材料科学研究所	9	86	5.0	9.0
8	李述体	南昌大学材料科学研究所	12	93	5.0	9.0