Si3N4陶瓷材料的氧化行为及其抗氧化研究

• 作者: 张其土
• 来源期刊: 陶瓷学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 氧氮化硅 表面处理 氧化 强度
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 3075字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2278.2000.01.006

摘要

研究了Si3N4陶瓷材料的氧化行为,同时探讨了通过表面处理使Si3N4陶瓷材料表面形成一层Si2N2O对其抗氧化性能的影响.实验结果表明,Si3N4陶瓷材料在空气中的氧化行为服从抛物线规律.另外,用X射线衍射分析(XRD)和X光电子能谱(XPS)分析验证了Si2N2O层的存在.由于形成了Si2N2O层,Si3N4陶瓷材料在1300℃下氧化100h后,氧化增重从原来的0.42mg/cm2降低到0.24mg/cm2,其抗氧化性能有了明显的提高.同时,表面处理后Si3N4陶瓷材料的强度也有一定的提高,其中室温强度从原来的621MPa提高到662MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张其土		9	93	5.0	9.0