准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体管

• 作者: 张志明 徐重阳 戴永兵 李兴教 沈荷生 邹雪城
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 准分子激光 非晶硅 晶化 多晶硅薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 343-346
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 4024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2000.05.014

摘要

讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题.用XeCl准分子激光器对PECVD法生长的非晶硅薄膜进行了诱导晶化处理,成功制备了多晶硅薄膜晶体管,获得最大场效应迁移率为14.5 cm2/V·s, 亚阈值斜率为1.9 V/dec,开关电流比为1.0×106的器件性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐重阳	华中理工大学电子科学与技术系	33	239	9.0	14.0
2	张志明	上海交通大学微电子技术研究所	46	553	15.0	21.0
3	沈荷生	上海交通大学微电子技术研究所	45	494	12.0	20.0
4	戴永兵	上海交通大学微电子技术研究所	4	21	3.0	4.0
8	李兴教	华中理工大学电子科学与技术系	3	10	1.0	3.0
9	邹雪城	华中理工大学电子科学与技术系	2	9	1.0	2.0