GaN薄膜的微区Raman散射光谱

• 作者: L.A.Bursill Ming S.Liu 张国义 童玉珍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 化学
• 关键词: GaN 微区Raman散射 X-射线衍射
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 554-558
• 页数: 5页
• 分类号: TN304|O657
• 字数: 2820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.006

摘要

报道了低压MOCVD生长的同-GaN薄膜不同位置的微区Raman散射光谱.观测到了微区结构不完整对Raman谱的影响.通过X射线衍射分析,证实了该样品晶体质量是不均匀的,而且微结构缺陷的存在是导致回摆曲线展宽的主要原因.结合Hall测量结果,对GaN薄膜的A1(LO)模式的移动进行了电声子相互作用分析,认为A1(LO)模式的移动可能与电声子相互作用无关,而是受内部应力分布不均匀的影响所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义	北京大学物理系介观物理重点实验室	49	229	9.0	13.0
2	童玉珍	北京大学物理系介观物理重点实验室	16	63	5.0	7.0