多巴胺在聚对氨基吡啶修饰电极上伏安行为及其溶出伏安法测定

• 作者: 周漱萍 张岩 张岱 汪振辉
• 来源期刊: 药学学报
• 学科: 医学
• 关键词: 聚对氨基吡啶修饰电极 多巴胺 多阶半微分伏安法
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 692-695
• 页数: 4页
• 分类号: R927.2
• 字数: 3060字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3321/j.issn:0513-4870.2000.09.012

摘要

目的大量抗坏血酸(AA)存在下,研究聚对氨基吡啶(POAP)化学修饰膜电极测定神经递质多巴胺(DA).方法用循环伏安和多阶半微分电化学方法研究对氨基吡啶在玻碳电极上的聚合和伏安行为.结果 POAP电极对DA有明显的分子识别和电催化作用.2 000倍AA存在下对DA测定无影响,检测限为4.2×10-11 mol·L-1(富集8 min).结论 POAP电极使用寿命至少长达3个月,DA与AA的氧化峰分开200 mV,可用于大量AA存在下测定神经递质DA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪振辉	河南师范大学化学与环境科学学院	41	390	12.0	18.0
2	周漱萍	河南师范大学化学与环境科学学院	19	282	10.0	16.0
3	张岱	河南师范大学化学与环境科学学院	5	98	5.0	5.0
4	张岩		3	53	3.0	3.0