中子辐照下的6H-SiC pn结电特性分析

• 作者: 尚也淳 张义门 张玉明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: pn结特性 6H-SiC 中子辐照
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 691-696
• 页数: 6页
• 分类号: O475
• 字数: 3740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.013

摘要

用中子辐照在6H-SiCpn结中引入的复合中心和深能级陷阱解释了SiCpn结辐照后电特性退化的现象,并推导了辐照后SiCpn结理想因子与外加电压的关系,给出了SiCpn结中子辐照电特性退化的模型,模拟结果和实验数据的对比说明关于SiCpn结电特性退化的理论解释是正确的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	尚也淳	西安电子科技大学微电子所	9	53	4.0	7.0