锗对CZ Si中新施主的影响

• 作者: 孙军生 张恩怀 张维连 张颖怀 檀柏梅
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CZ Si 等价掺杂(Ge) 新施主 热处理
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 51-53
• 页数: 3页
• 分类号: O782.5
• 字数: 1765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.011

摘要

等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维连	河北工业大学半导体材料研究所	27	203	9.0	13.0
2	孙军生	河北工业大学半导体材料研究所	11	87	5.0	9.0
3	檀柏梅	河北工业大学半导体材料研究所	85	534	13.0	18.0
4	张恩怀	河北工业大学半导体材料研究所	8	66	4.0	8.0
5	张颖怀	河北工业大学半导体材料研究所	6	23	2.0	4.0