用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器

• 作者: 李瑾 杨建义 王明华 马慧莲
• 来源期刊: 光通信研究
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/GaAlAs 择优腐蚀技术 MMI型光功率分配器
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 50-53,62
• 页数: 5页
• 分类号: TN929.1
• 字数: 1737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-8788.2000.05.010

摘要

通过对器件结构进行优化设计和择优腐蚀技术,用H3PO4-H2O2-H2O系腐蚀液制作了能直接与单模光纤阵列相耦合的MMI型GaAs1×4光功率分配器 .最后用1.3 μm波长的He-Ne激光进行了测试,发现该器件基本实现了功率均分要求,功率离散度为0.155 dB.