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摘要:
制备了透射式GaAs阴极组件,测量了GaAs阴极激活过程中阴极光电灵敏度和发射电子平均横向能量随激活时间的变化,用扫描电镜观察GaAs(Cs,O)阴极表面形貌,结果表明: GaAs(Cs,O)阴极发射电子横向能量取决于GaAs晶格温度、阴极表面形貌和电子在能带弯曲区的多次散射,与(Cs,O)激活层无关.
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文献信息
篇名 透射式GaAs(Cs,O)光电阴极发射电子横向能量的研究
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 光电发射 像增强器 外延 散射
年,卷(期) 2000,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 277-280
页数 4页 分类号 TN2
字数 3272字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.04.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱长纯 西安交通大学电信学院 215 2372 22.0 41.0
2 闫金良 西安交通大学电信学院 8 41 3.0 6.0
3 向世明 10 73 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
光电发射
像增强器
外延
散射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
相关基金
中国博士后科学基金
英文译名:China Postdoctoral Science Foundation
官方网址:http://www.chinapostdoctor.org.cn/index.asp
项目类型:
学科类型:
论文1v1指导