硅基片上C60薄膜的生长特性和结构特性研究

• 作者: 刘波 王豪
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 物理气相淀积 C60膜 原子力显微镜 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 147-151
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.010

摘要

本文采用物理气相沉积(PVD)法在不同预处理的Si(100)衬底上沉积了C60膜,并利用AFM和XRD研究了其生长特征和结构特性.结果表明,C60膜的生长特性不仅与C60分子的移动性和衬底的表面性质等多种因素有关,而且还受衬底表面先前淀积的C60膜的有序性影响;H-Si(100)面上生长的C60膜与普通抛光Si(100)面上的相比更具有*2111*3取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波	中国科学院上海光学精密机械研究所	266	2712	24.0	39.0
2	王豪	中国科学院上海光学精密机械研究所	5	7	2.0	2.0