分子镀法制备厚镅(241,243Am)靶

• 作者: 甘再国 秦芝 郭俊盛
• 来源期刊: 同位素
• 学科: 化学
• 关键词: 分子镀 厚镅靶 241,243Am
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 209-214
• 页数: 6页
• 分类号: O614.35
• 字数: 4047字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7512.2000.04.004

摘要

研究了异丙醇-硝酸介质中镅(241,243Am)的分子镀过程和实验条件.在保持电压为550 V、电流密度为4～6 mA/cm2的条件下电镀1 h,通过一次分子镀过程就能在薄铝箔(厚度7 μm)衬底材料上制备出厚度为0.6～1.2 mg/cm2的241,243Am靶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	甘再国	中国科学院近代物理研究所	11	18	2.0	3.0
2	秦芝	中国科学院近代物理研究所	23	118	5.0	10.0
3	郭俊盛	中国科学院近代物理研究所	7	15	2.0	3.0