一种BiCMOS高速、低压、低功耗全摆幅单元电路技术

• 作者: 王海永 邵志标
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低电压 低功耗 双极-互补金属氧化物半导体 全摆幅技术 超大规模集成电路
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 设计与开发
• 页码范围: 10-12
• 页数: 3页
• 分类号: TN433
• 字数: 1647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.04.003

摘要

提出了一种具有高速全摆幅输出的BiCMOS缓冲器逻辑单元.该单元可以工作于1.5V,并且易于实现多输入扩展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵志标	西安交通大学电子科学与技术系	42	180	9.0	10.0
2	王海永	西安交通大学电子科学与技术系	2	0	0.0	0.0