β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱

• 作者: 丁训民 侯晓远 曹先安 来冰 王康林 董阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs表面 光电子能谱 β-GaS钝化
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1080-1085
• 页数: 6页
• 分类号: O472+.1
• 字数: 4990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.11.008

摘要

在GaAs表面淀积β-GaS是一种可行的GaAs表面钝化方法.用光电子能谱研究了超薄GaS淀积后的GaAs表面,分析了表面成分.并发现GaS的淀积能使GaAs原有的表面能带弯曲减小0.4eV,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除.给出了一个半定量的理论模型,来解释GaS淀积引起的能带弯曲减小与以前湿法钝化引起的能带弯曲增大之间的不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯晓远	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	14	86	4.0	9.0
2	来冰	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	5	1.0	2.0
3	丁训民	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	14	97	5.0	9.0
4	王康林	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	25	1.0	2.0
5	董阳	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	曹先安	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0