磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的特殊性分析

• 作者: 于忠奇 刘正堂 宋建全 耿东生 郑修麟
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 沉积速率 磁控反应溅射 靶中毒 原子百分比
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 15-17,21
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2000.10.004

摘要

利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用干涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究.结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略有提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关.这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑修麟		44	293	10.0	14.0
2	刘正堂		120	749	14.0	21.0
3	耿东生		15	150	8.0	12.0
4	宋建全		10	92	5.0	9.0
5	于忠奇		5	50	3.0	5.0