Au纳米粒子自组装体系的数值模拟

• 作者: 何红波 周继承 李义兵 胡慧芳
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米粒子 隧穿 WKB
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 7-12
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 2629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2000.01.002

摘要

本文对形成室温单电子现象的典型隧道结结构模型利用WKB方法求解薛定谔方程计算其隧穿电流与偏压的关系.本文利用该方法对Au纳米粒子组装体系在室温下的I-V特性进行了计算机模拟,发现结果与实验符合得很好.该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡慧芳	长沙铁道学院材料研究所	17	104	3.0	10.0
2	李义兵	长沙铁道学院材料研究所	19	37	3.0	4.0
3	何红波	长沙铁道学院材料研究所	28	66	5.0	6.0
4	周继承	长沙铁道学院材料研究所	19	27	3.0	3.0