影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究

• 作者: 刘建宁 刘晏凤 杜庚娜 赖占平 高瑞良 齐德格
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 砷化镓 单晶 均匀性 抛光片 缺陷
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 176-179
• 页数: 4页
• 分类号: O472.1
• 字数: 3134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.017

摘要

高度PL mapping均匀的SI-GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底.本工作对影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究.发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PL mapping均匀性都有一定的影响;而晶体的AB-EPD和抛光工艺对PL mapping均匀性影响更大,AB-EPD与热处理工艺有关.对实验现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖占平		2	7	2.0	2.0
2	齐德格		2	7	2.0	2.0
3	高瑞良		2	7	2.0	2.0
4	杜庚娜		2	7	2.0	2.0
5	刘晏凤		2	7	2.0	2.0
6	刘建宁		1	3	1.0	1.0