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影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究
影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究
作者:
刘建宁
刘晏凤
杜庚娜
赖占平
高瑞良
齐德格
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
砷化镓
单晶
均匀性
抛光片
缺陷
摘要:
高度PL mapping均匀的SI-GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底.本工作对影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究.发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PL mapping均匀性都有一定的影响;而晶体的AB-EPD和抛光工艺对PL mapping均匀性影响更大,AB-EPD与热处理工艺有关.对实验现象进行了解释.
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文献信息
篇名
影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
砷化镓
单晶
均匀性
抛光片
缺陷
年,卷(期)
2000,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
176-179
页数
4页
分类号
O472.1
字数
3134字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
赖占平
2
7
2.0
2.0
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齐德格
2
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2.0
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3
高瑞良
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杜庚娜
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刘晏凤
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研究主题发展历程
节点文献
砷化镓
单晶
均匀性
抛光片
缺陷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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