电迁移与工艺相关的关系

• 作者: 孔学东 孙青 徐征 扬文 焦慧芳 贾新章
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电迁移 金属化 可靠性 数学分析
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 927-933
• 页数: 7页
• 分类号: TN47
• 字数: 3299字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.09.019

摘要

针对金属化电迁移,进行了失效机理与工艺相关性的研究;确定了金属晶粒尺寸与金属化可靠性之间存在着直接关系.金属平均晶粒直径与金属电迁移寿命受金属化溅射工艺条件的影响完全一致.提出了平均晶粒直径作为能够表征金属化可靠性的特征工艺参数的概念和金属化可靠性在线评价方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾新章		63	572	14.0	20.0
2	焦慧芳		16	86	6.0	8.0
3	孔学东		16	184	6.0	13.0
4	孙青		1	6	1.0	1.0
5	扬文	华晶电子集团公司中央研究所	1	6	1.0	1.0
6	徐征	华晶电子集团公司中央研究所	1	6	1.0	1.0