MOS器件90Sr-90Y源电离辐射效应研究

• 作者: 吴国荣 张正选 彭宏论 罗尹虹
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 电离辐射效应 MOSFET 抗辐射加固 90Sr-90Y辐射源 总剂量辐射
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.010

摘要

介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭宏论		11	80	5.0	8.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	吴国荣		11	42	4.0	6.0
4	张正选		21	88	5.0	8.0