(CdSe)1/(ZnSe)1应力半导体材料缺陷能级

• 作者: 刘贵立 张国英
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 应力 态密度 缺陷能级 超晶格
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 51-53,46
• 页数: 4页
• 分类号: O77
• 字数: 2341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.03.015

摘要

用实空间Recursion方法计算(CdSe)1/(ZnSe)1应力半导体材料的总态密度、局域态密度、分波态密度,研究了局域特性和缺陷能级,得出了一些有价值的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘贵立		90	606	14.0	19.0
2	张国英		32	214	8.0	14.0